1. मूल गेट हैं
( A ) AND.OR
( B ) NAND , NOR
( C ) OR , NOT
( D ) AND.OR.NOT
उत्तर – ( D ) AND.OR.NOT
2. n – p – n ट्रांजिस्टर को क्रिया में उत्सर्जक धारा , आधार धारा , तथा संग्राहक धारा । में संबंध है
( A ) 1 , -1 , -1 ,
( B ) 11 = 1 , +1
( C ) 1 = 1 + 18
( D ) इनमें से कोई नहीं
उत्तर – ( C )1 = 1 + 18
3. लॉजिक गेट चित्र में दर्शाया गया है , निरूपित करता है
( A ) OR
( B ) NOR
( C ) NAND
( D ) AND
उत्तर – ( D ) AND
4. परम शून्य ताप पर किसी शद्ध अर्थचालक की विद्युत – चालकता | होती है
( A ) शून्य
( B ) 100 ( 12 m )
( C ) 10 ( 12 m )
( D ) 10 ( 2 m ) -1
उत्तर – ( A ) शून्य
5. तापक्रम बढ़ाने पर अर्द्धचालक का प्रतिरोध
( A ) बढ़ता है
( B ) घटता है
( C ) कभी घटता है और कभी बढ़ता है
( D ) अपरिवर्तित रहता है
उत्तर – ( B )घटता है
6. अर्घचालक में विद्युत – चालकता का कारण है
( A ) केवल इलेक्ट्रॉन
( B ) केवल छिद्र ( या होल )
( C ) इलेक्ट्रॉन एवं छिद्र दोनों
( D ) इनमें कोई नहीं
उत्तर – ( C )इलेक्ट्रॉन एवं छिद्र दोनों
7. यदि ट्रांजिस्टर के धारा नियतांक a तथा । है तो
( A ) aß = 1
( B ) B > 1 , a < 1
( C ) a % DB
( D ) B < 1 , a > 1
उत्तर – ( B ) B > 1 , a < 1
8. एक अर्द्धचालक को TK से TAK ताप पर ठंडा किया जाता है तो इसका प्रतिरोध
( A ) बढ़ेगा
( B ) घटेगा
( C ) नियत होगा
( D ) पहले घटेगा फिर बढ़ेगा
उत्तर – ( B )घटेगा
9. कुचालक पदार्थ में संयोजकता पट्टी तथा चालकता पट्टी के बीच
( A ) चौड़ा वर्जित क्षेत्र होता है
( B ) कोई रिक्त स्थान नहीं होता है
( C ) पतला वर्जित क्षेत्र होता है
( D ) इनमें कोई भी हो सकता है
उत्तर – ( A )चौड़ा वर्जित क्षेत्र होता है
10. सुचालक पदार्थ में संयोजकता पट्टी तथा चालकता पट्टी के बीच
( A ) चौड़ा वर्जित क्षेत्र होता है
( B ) पतला वर्जित क्षेत्र होता है
( C ) कोई रिक्त स्थान नहीं होता है
( D ) इनमें कोई भी हो सकता है
उत्तर – ( C )कोई रिक्त स्थान नहीं होता है
11. कार्वन , सिलिकन और जर्मेनियम , प्रत्येक में चार संयोजक इलेक्ट्रॉन हैं । इनकी संयोजकता और चालन पट्टियाँ क्रमशः ( E ) C. ( E ) तथा ( E ) G ऊर्जा पट्टी अंतराल से पृथक्कृत हैं । निम्नलिखित में कौन – सा प्रकथन सत्य है ?
( A ) ( Egsi < ( EDGe < ( E Ec
( B ) ( E. ) c < ( E ) Ge < ( E ) si
( C ) ( E ) c > ( EPs . > ( E
( D ) ( E ) c = ( E , Psi = ( E.PGe
उत्तर – ( C )( E ) c > ( EPs . > ( E
12. जर्मेनियम क्रिस्टल में चालन बैंड एवं संयोजकता बैंड के बीच वर्जित ऊर्जा अंतराल का मान होता है
( A ) 0.074 eV
( B ) 0.74 eV
( C ) 7.4cv
( D ) 74cv
उत्तर – ( C ) 7.4cv
13. सिलिकन क्रिस्टल में चालन बैंड एवं संयोजकता बैंड के योग वर्जित ऊर्जा अंतराल का मान होता है
( A ) 0.11 eV
( B ) 1.1 eV
( C ) 11 eV
( D ) 110 eV
उत्तर – ( B ) 1.1 eV
14. परम शून्य ताप पर किसी शद्ध अर्थचालक की विद्युत – चालकता | होती है
( A ) शून्य
( B ) 100 ( 12 m )
( C ) 10 ( 12 m )
( D ) 10 ( 2 m ) -1
उत्तर – ( A ) शून्य
15. ताप वढ़ने के साथ अर्धचालक का प्रतिरोध
( A ) बढ़ता है
( B ) घटता है
( C ) न तो बढ़ता है और न ही घटता है
( D ) कभी बढ़ता है और कभी घटता है
उत्तर – ( B ) घटता है
16. अर्घचालक में विद्युत – चालकता का कारण है
( A ) केवल इलेक्ट्रॉन
( B ) केवल छिद्र ( या होल )
( C ) इलेक्ट्रॉन एवं छिद्र दोनों
( D ) इनमें कोई नहीं
उत्तर – ( C ) इलेक्ट्रॉन एवं छिद्र दोनों
17. अर्धचालकों में अपद्रव्यों को डालने से
( A ) वे रोधी हो जाते हैं
( B ) उनकी चालकता घट जाती है
( C ) उनकी चालकता शून्य हो जाती है
( D ) उनकी चालकता बढ़ जाती है
उत्तर – ( D ) उनकी चालकता बढ़ जाती है
18. जिस उद्देश्य से शुद्ध अर्धचालक में अपद्रव्य मिलाकर अपमिश्रित किया जाता है , वह है
( A ) इसके आयु परास को बढ़ाना
( B ) इसके द्वारा उच्च विभव क . पहन करने की शक्ति
( C ) इसकी विद्युत – चालकता में वृद्धि
( D ) इसकी प्रतिरोधकता में वृद्धि
उत्तर – ( C ) इसकी विद्युत – चालकता में वृद्धि
19. सिलिकन क्रिस्टल में ऐंटिमनी द्वारा अपमिश्रण करने से वह वन जाता है
( A ) एक कुचालक
( B ) एक सुचालक
( C ) एक p- टाइप अर्धचालक
( D ) एक n- टाइप अर्धचालक
उत्तर – ( D ) एक n- टाइप अर्धचालक
20. जर्मेनियम क्रिस्टल को n- टाइप अर्धचालक बनाने के लिए आवश्यक अपद्रव्य परमाणु की जो संयोजकता होनी चाहिए , वह है
( A ) 2
( B ) 3
( C ) 4
( D ) 5
उत्तर – ( D ) 5
21. जर्मेनियम क्रिस्टल को p- टाइप अर्धचालक बनाने के लिए इसमें जिस अपद्रव्य परमाणुको मिलाया जाना चाहिए उसकी संयोजकता
( A ) 2
( B ) 3
( C ) 4
( D ) 5
उत्तर – ( B ) 3
22. पूर्ण तरंग दिष्टकारी के रूप में जंक्शन डायोड का व्यवहार करने के लिए आवश्यकता होती है
( A ) एक डायोड को
( B ) दो डायोड की
( C ) तीन डायोड की
( D ) चार डायोड की
उत्तर – ( B ) दो डायोड की
23. p – n जंक्शन डायोड जव अगदिश रहता है तव जंक्शन पर धारा का प्रवाह मुख्यतः
( A ) आवेश के अपसरण के कारण होता है
( B ) आवेश के विसरण के कारण होता है
( C ) आवेश के अपसरण और विसरण दोनों के कारण होता है
( D ) डायोड के पदार्थ पर निर्भर करता है
उत्तर – ( B ) आवेश के विसरण के कारण होता है
24. ट्रांजिस्टर की क्रिया हेतु निम्नलिखित में कौन – सा कथन सही है ?
( A ) आधार , उत्सर्जक और संग्राहक क्षेत्रों का आकार और अपमिश्रण सांद्रता समान होनी चाहिए
( B ) आधार क्षेत्र बहुत बारीक और अपमिश्रित होना चाहिए
( C ) उत्सर्जक संधि अग्र अभिनति है और संग्राहक संधि उत्क्रम अभिनति है
( D ) उत्सर्जक संधि और संग्राहक संधि दोनों ही अग्र अभिनति है
उत्तर – ( B ) आधार क्षेत्र बहुत बारीक और अपमिश्रित होना चाहिए
25. किसी n – p – n जंक्शन ट्रांजिस्टर के परिपथ में ग्राहक धारा 1 = 10 mA है । यदि उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों की कुल संख्या का 80 % ग्राहक तक पहुँचता हो , तव
( A ) उत्सर्जक धारा I = 8.5 mA
( B ) gralstof er le = 12.5 mA
( C ) बेस धारा = 3.5 mA
( D ) बेस धारा 1 , = 2.0 mA
उत्तर – ( B ) gralstof er le = 12.5 mA
26. किसी ट्रांजिस्टर में वेस धारा का मान निर्भर करता है
( A ) बेस परत की मोटाई पर
( B ) बायस वोल्टेज पर
( C ) उत्सर्जक बेस तथा ग्राहक में अपमिश्रण के सापेक्षिक मानों पर
( D ) उपर्युक्त सभी कारकों पर
उत्तर – ( D ) उपर्युक्त सभी कारकों पर
27. किसी p – n – p जवशन ट्रांजिस्टर में p- टाइप का क्रिस्टल कार्य करता है
( A ) केवल उत्सर्जक जैसा
( B ) केयल संग्राहक जैसा
( C ) उत्सर्जक तथा संग्राहक दोनों जैसा
( D ) न तो उत्सर्जक जैसा और न ही संग्राहक जैसा
उत्तर – ( C ) उत्सर्जक तथा संग्राहक दोनों जैसा
28. किसी n – p – n जंक्शन ट्रांजिस्टर में p- टाइप का क्रिस्टल कार्य करता है
( A ) केवल उत्सर्जक जैसा
( B ) केवल संग्राहक जैसा
( C ) केवल बेस जैसा
( D ) इनमें कोई नहीं
उत्तर – ( C ) केवल बेस जैसा
29. किसी अर्धचालक पर आपतित विद्युत – चुंबकीय विकिरण के तरंगदैर्घ्य का मान 2480 nm से कम होने पर यदि अर्थचालक की विद्युत चालकता में वृद्धि होने लगे , तो अर्थचालक का बैंड अंतराल होगा
( A ) 0.1 eV
( B ) 0.5 eV
( C ) 1.5 eV
( D ) 2 eV
उत्तर – ( B ) 0.5 eV
30. OR गेट के लिए बूलियन व्यंजक होता है
( A ) A + B = Y
( B ) A – B = 0
( C ) Ā = A
( D ) Y = AB
उत्तर – ( A ) A + B = Y
31. NOR गेट के लिए दूलियन व्यंजक है
( A ) A – B = Y
( B ) A + B = Y
( C ) ADDY
( D ) A + B = Y
उत्तर – ( D ) A + B = Y
32. NAND गेट के लिए बूलियन व्यंजक है
( A ) A – B = Y
( B ) A + B = Y
( C ) A.B = Y
( D ) A + B = Y
उत्तर – ( A ) A – B = Y
33. जिस लॉजिक गेट के दोनों निवेशों को केवल अवस्था 1 में रहने पर ही निर्गम 1 प्राप्त होता है , वलॉजिक गेट हैह
( A ) OR
( B ) AND
( C ) NOR
( D ) NAND
उत्तर – ( B ) AND
34. जिस लॉजिक गेट के दोनोंनिवेशों ( inputs ) को अवस्था 0 में रहने देने पर निर्गम ( output ) 1 प्राप्त होता है , वह लॉजिक गेट है
( A ) AND
( B ) NAND
( C ) OR
( D ) NOR
उत्तर – ( D ) NOR
35. चित्र में प्रदर्शित लॉजिक गेट परिपथ के लिए वूलियन व्यंजक है
( A ) Y = A.B
( B ) Y = A.B
( C ) Y = A + B
( D ) Y = A + B
उत्तर – ( C ) Y = A + B
36. चित्र के अनुसार डायोड है
( A ) अग्र अभिनति , P जब उच्च विभव रखता है , n से
( B ) उन क्रम अभिनति , P जब निम्न विभव रखता है । से
( C ) ‘ A ‘ और ‘ B ‘ दोनों
( D ) इनमें से कोई नहीं
उत्तर – ( B ) उन क्रम अभिनति , P जब निम्न विभव रखता है । से